FQB12P10TM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQB12P10TM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -11.5 A
漏源极电阻 240 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 3.75 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 11.5 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 800pF @25VVds
额定功率Max 3.75 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.75W Ta, 75W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQB12P10TM引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FQB12P10TM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FQB12P10TM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号FQB12P10TM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQB12P10TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 P-Channel 100V 11.5A 240mohms | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 100V 11.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： FQB12N60CTM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-263-3 N-Channel 600V 12A 650mohms 2.29nF | 功能相似 | N沟道 600V 12A | FQB12P10TM和FQB12N60CTM的区别 |
| 型号： FQB12N60TM_AM002 品牌： 飞兆/仙童 封装： D2PAK N-Channel 600V 10.5A 700mohms 1.9nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FQB12P10TM和FQB12N60TM_AM002的区别 |
| 型号： FQB12N20L 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET | FQB12P10TM和FQB12N20L的区别 |