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FQB12N60CTM

FQB12N60CTM

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 600V 12A

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology hasbeen especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devicesare well suited for high efficient switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballast based on half bridge topology.

Features

• 12A, 600V, R

DSon= 0.65Ω@VGS= 10 V

• Low gate charge typical 48 nC

• Low Crss typical 21pF

•Fast switching

• 100% avalanche tested

• Improved dv/dt capability

• RoHS compliant

FQB12N60CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 12.0 A

通道数 1

漏源极电阻 650 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 225 W

输入电容 2.29 nF

栅电荷 63.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 85 ns

输入电容Ciss 2290pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 90 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 225W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQB12N60CTM引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQB12N60CTM Fairchild 飞兆/仙童 N沟道 600V 12A 搜索库存
替代型号FQB12N60CTM
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQB12N60CTM

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-263-3 N-Channel 600V 12A 650mohms 2.29nF

当前型号

N沟道 600V 12A

当前型号

型号: FQB12N50

品牌: 飞兆/仙童

封装:

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型号: FQB12N60TM

品牌: 飞兆/仙童

封装:

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FQB12N60CTM和FQB12N60TM的区别

型号: FQB12N60TM_AM002

品牌: 飞兆/仙童

封装: D2PAK N-Channel 600V 10.5A 700mohms 1.9nF

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