
额定电压DC 600 V
额定电流 12.0 A
通道数 1
漏源极电阻 650 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 225 W
输入电容 2.29 nF
栅电荷 63.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 2290pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 225W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQB12N60CTM | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 600V 12A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FQB12N60CTM 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-263-3 N-Channel 600V 12A 650mohms 2.29nF | 当前型号 | N沟道 600V 12A | 当前型号 | |
型号: FQB12N50 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 类似代替 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | FQB12N60CTM和FQB12N50的区别 | |
型号: FQB12N60TM 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 类似代替 | N沟道 600V 10.5A | FQB12N60CTM和FQB12N60TM的区别 | |
型号: FQB12N60TM_AM002 品牌: 飞兆/仙童 封装: D2PAK N-Channel 600V 10.5A 700mohms 1.9nF | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 600V 10.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | FQB12N60CTM和FQB12N60TM_AM002的区别 |