IRLW630A、IRLW630ATM对比区别

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型号 IRLW630A IRLW630ATM

描述 先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole

封装 D2PAK TO-262-3

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 - 9.00 A

漏源极电阻 - 400 mΩ

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 3.1W (Ta), 69W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 9A 5.00 A

输入电容(Ciss) - 755pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.1 W

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 69W (Tc)

封装 D2PAK TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99