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Fairchild 飞兆/仙童 电子元器件分类

先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET

Advanced Power MOSFET

FEATURES

♦Logic-Level Gate Drive

♦Avalanche Rugged Technology

♦Rugged Gate Oxide Technology

♦Lower Input Capacitance

♦Improved Gate Charge

♦Extended Safe Operating Area

♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V

♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.


IRLW630A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRLW630A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRLW630A Fairchild 飞兆/仙童 先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET 搜索库存
替代型号IRLW630A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLW630A

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装:

当前型号

先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET

当前型号

型号: IRLW630ATM

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-263 N-Channel 500V 5A 400mohms

功能相似

Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

IRLW630A和IRLW630ATM的区别