IRLW630ATM
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRLW630ATM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 9.00 A
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.1W Ta, 69W Tc
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
输入电容Ciss 755pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
耗散功率Max 3.1W Ta, 69W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRLW630ATM引脚图与封装图
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在线购买IRLW630ATM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLW630ATM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRLW630ATM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLW630ATM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-263 N-Channel 500V 5A 400mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRLW630A 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 先进的功率MOSFET ADVANCED POWER MOSFET | IRLW630ATM和IRLW630A的区别 |