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2N5886G、BDW23-S、2N6490G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5886G BDW23-S 2N6490G

描述 NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管TO-220 NPN 45V 6AON SEMICONDUCTOR  2N6490G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 3

封装 TO-204-2 TO-220-3 TO-220-3

频率 4 MHz - 5 MHz

额定电压(DC) 80.0 V - 60.0 V

额定电流 25.0 A - 15.0 A

额定功率 200 W - -

针脚数 2 - 3

极性 NPN NPN PNP, P-Channel

耗散功率 200 W - 1.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 45 V 60 V

热阻 0.875℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 25A 6A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @10A, 4V 750 @2A, 3V 20

最大电流放大倍数(hFE) 100 - 150

额定功率(Max) 200 W 2 W 1.8 W

直流电流增益(hFE) 4 - 5

工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW - 1800 mW

长度 39.37 mm - 10.28 mm

宽度 26.67 mm - 4.82 mm

高度 8.51 mm - 15.75 mm

封装 TO-204-2 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99