R6004CNDTL、STD4NK60Z、STB4NK60Z-1对比区别

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型号 R6004CNDTL STD4NK60Z STB4NK60Z-1

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin(2+Tab) CPT T/RN沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FPN沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-252-3 DPAK TO-262-3

引脚数 - - 3

漏源极电阻 1.8 Ω - -

耗散功率 40W (Tc) - 70 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

上升时间 28 ns - 9.5 ns

输入电容(Ciss) 280pF @25V(Vds) - 510pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns - 16.5 ns

耗散功率(Max) 40W (Tc) - 70W (Tc)

通道数 - - 1

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 4A 4A

额定功率(Max) - - 70 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-252-3 DPAK TO-262-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 8.95 mm

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free