R6004CNDTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R6004CNDTL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.8 Ω
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
下降时间 39 ns
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6004CNDTL引脚图与封装图 
R6004CNDTL引脚图
R6004CNDTL封装图
R6004CNDTL封装焊盘图
在线购买R6004CNDTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6004CNDTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin2+Tab CPT T/R | 搜索库存 |
替代型号R6004CNDTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R6004CNDTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3Pin2+Tab CPT T/R | 当前型号 |
| 型号： STD4NK60Z 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-CH 600V 4A | 功能相似 | N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP | R6004CNDTL和STD4NK60Z的区别 |