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STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-1

数据手册.pdf

N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP

N-Channel 600V 4A Tc 70W Tc Through Hole I2PAK


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STB4NK60Z-1


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MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK


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STB4NK60Z-1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 510pF @25VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 16.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 8.95 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

STB4NK60Z-1引脚图与封装图
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在线购买STB4NK60Z-1
型号 制造商 描述 购买
STB4NK60Z-1 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP 搜索库存
替代型号STB4NK60Z-1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB4NK60Z-1

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： I2PAK-3 N-CH 600V 4A

当前型号

N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP

当前型号

型号： STD4NK60Z

品牌： 意法半导体

封装： DPAK N-CH 600V 4A

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N沟道600 V - 1.76ヘ - 4 A SuperMESH⑩功率MOSFET采用DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 220FP N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP

STB4NK60Z-1和STD4NK60Z的区别