IKW50N60H3、IXXH50N60C3D1、APT30GP60BDQ1G对比区别

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型号 IKW50N60H3 IXXH50N60C3D1 APT30GP60BDQ1G

描述 INFINEON  IKW50N60H3  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚IXXH 系列 GenX3 600 V 100 A 法兰安装 IGBT - TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 333 W - -

针脚数 3 - -

耗散功率 333 W 600000 mW 463000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 130 ns 25 ns -

额定功率(Max) 333 W 600 W 463 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 333 W 600000 mW 463000 mW

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 30 A

长度 15.87 mm - -

宽度 5.31 mm - -

高度 21.1 mm - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99