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IKW50N60H3

IKW50N60H3

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IKW50N60H3  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

TrenchStop IGBT ，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C

### IGBT 分立件和模块，Infineon

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IKW50N60H3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 333 W

针脚数 3

耗散功率 333 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 130 ns

额定功率Max 333 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 333 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 All hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKW50N60H3引脚图与封装图
IKW50N60H3引脚图

IKW50N60H3引脚图

IKW50N60H3封装焊盘图

IKW50N60H3封装焊盘图

在线购买IKW50N60H3
型号 制造商 描述 购买
IKW50N60H3 Infineon 英飞凌 INFINEON  IKW50N60H3  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 搜索库存
替代型号IKW50N60H3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IKW50N60H3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-247-3 333000mW

当前型号

INFINEON  IKW50N60H3  单晶体管, IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

当前型号

型号： NGTB45N60S2WG

品牌： 安森美

封装： TO-247 300000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  NGTB45N60S2WG  单晶体管, IGBT, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

IKW50N60H3和NGTB45N60S2WG的区别

型号： IXXH50N60C3D1

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-247-3 600000mW

功能相似

IXXH 系列 GenX3 600 V 100 A 法兰安装 IGBT - TO-247AD

IKW50N60H3和IXXH50N60C3D1的区别

型号： STGW50H60DF

品牌： 意法半导体

封装： TO-247-3 360000mW

功能相似

600V,50A截止型IGBT

IKW50N60H3和STGW50H60DF的区别