APT30GP60BDQ1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT30GP60BDQ1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 30 A
耗散功率 463000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 463 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 463000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
APT30GP60BDQ1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买APT30GP60BDQ1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT30GP60BDQ1G | Microsemi 美高森美 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号APT30GP60BDQ1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT30GP60BDQ1G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 600V 30A 463000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： APT30GP60BDQ1 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | IGBT 600V 100A 463W TO247 | APT30GP60BDQ1G和APT30GP60BDQ1的区别 |