MJE5852、MJE5852G对比区别

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型号 MJE5852 MJE5852G

描述 高电压PNP功率晶体管 HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR  MJE5852G  单晶体管 双极, PNP, 400 V, 80 W, 8 A, 15 hFE

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -400 V -400 V

额定电流 -8.00 A -8.00 A

针脚数 - 3

极性 - PNP, P-Channel

耗散功率 - 80 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V

热阻 - 1.25℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - 8A

最小电流放大倍数(hFE) 5 @5A, 5V 5 @5A, 5V

额定功率(Max) 80 W 80 W

直流电流增益(hFE) - 15

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW

长度 - 10.28 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 9.28 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

最小包装 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99