MJE5852中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -400 V
额定电流 -8.00 A
击穿电压集电极-发射极 400 V
最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V
额定功率Max 80 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MJE5852引脚图与封装图
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在线购买MJE5852
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE5852 | ST Microelectronics 意法半导体 | 高电压PNP功率晶体管 HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MJE5852
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE5852 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 -400V -8A | 当前型号 | 高电压PNP功率晶体管 HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： MJE5852G 品牌： 安森美 封装： TO-220AB PNP -400V -8A 80000mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJE5852G 单晶体管 双极, PNP, 400 V, 80 W, 8 A, 15 hFE | MJE5852和MJE5852G的区别 |
| 型号： JE-5 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | Power Bipolar Transistor, 8A IC, 400V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJE5852和JE-5的区别 |