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VNB14N04-E、VNB14N04TR-E、VNB14N0413TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB14N04-E VNB14N04TR-E VNB14N0413TR

描述 “ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFETMOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAKMOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 50 W - -

输出接口数 1 1 1

输出电流 14 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 70.0 mΩ - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 50.0 W - 50000 mW

漏源击穿电压 42.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A - -

输出电流(Max) 10 A 10 A 10 A

供电电流 - - 0.25 mA

输出电流(Min) - - 10 A

耗散功率(Max) - - 50000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 - - 4.6 mm

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -