VNB14N04-E中文资料参数规格
技术参数
额定功率 50 W
输出接口数 1
输出电流 14 A
通道数 1
漏源极电阻 70.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50.0 W
漏源击穿电压 42.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
输出电流Max 10 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
VNB14N04-E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买VNB14N04-E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNB14N04-E | ST Microelectronics 意法半导体 | “ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号VNB14N04-E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNB14N04-E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-263-3 | 当前型号 | “ OMNIFET ”完全autoprotected功率MOSFET "OMNIFET" fully autoprotected Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： VNB14N04TR-E 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK | VNB14N04-E和VNB14N04TR-E的区别 |
| 型号： VNB14N04 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 | 类似代替 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | VNB14N04-E和VNB14N04的区别 |
| 型号： VNB14N0413TR 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK | 类似代替 | MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK | VNB14N04-E和VNB14N0413TR的区别 |