VNB14N0413TR中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
供电电流 0.25 mA
耗散功率 50000 mW
输出电流Max 10 A
输出电流Min 10 A
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VNB14N0413TR引脚图与封装图
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在线购买VNB14N0413TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VNB14N0413TR | ST Microelectronics 意法半导体 | MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号VNB14N0413TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VNB14N0413TR 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： VNB14N04TR-E 品牌： 意法半导体 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET OMNI N-CH 42V 14A D2PAK | VNB14N0413TR和VNB14N04TR-E的区别 |
| 型号： VNB14N04 品牌： 意法半导体 封装： TO-263-3 | 类似代替 | ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET | VNB14N0413TR和VNB14N04的区别 |
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