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2N3500

2N3500

数据手册.pdf

抗辐射 RADIATION HARDENED

This family of 2N3498 thru 2N3501 epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  These devices are also available in TO-5 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

2N3500中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 150 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 120 @150mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39-3

外形尺寸

封装 TO-39-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N3500引脚图与封装图
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在线购买2N3500
型号 制造商 描述 购买
2N3500 Microsemi 美高森美 抗辐射 RADIATION HARDENED 搜索库存
替代型号2N3500
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N3500

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-205AD 1000mW

当前型号

抗辐射 RADIATION HARDENED

当前型号

型号： JANS2N3500

品牌： 美高森美

封装： TO-39 NPN

完全替代

NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

2N3500和JANS2N3500的区别

型号： JANTX2N1613

品牌： 美高森美

封装： TO-205AD NPN 800mW

功能相似

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

2N3500和JANTX2N1613的区别