FDD6680AS、STD40NF3LLT4对比区别
描述 PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.0105 Ω 11.5 mΩ
耗散功率 60 mW 80 W
阈值电压 1.4 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
上升时间 6 ns 156 ns
输入电容(Ciss) 1200pF @15V(Vds) 1650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.3 W -
下降时间 12 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 60W (Ta) 80W (Tc)
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 55.0 A 40.0 A
通道数 - 1
极性 N-Channel N-Channel
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 40.0 A
输入电容 1.20 nF -
栅电荷 21.0 nC -
长度 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm -
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -