STD40NF3LLT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 40.0 A
通道数 1
漏源极电阻 11.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 156 ns
输入电容Ciss 1650pF @25VVds
下降时间 28 ns
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
宽度 6.2 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STD40NF3LLT4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STD40NF3LLT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD40NF3LLT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STD40NF3LLT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STD40NF3LLT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-252 N-Channel 30V 40A 11.5mΩ | 当前型号 | N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDD6680AS 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 55A 8.6mohms 1.2nF | 功能相似 | PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | STD40NF3LLT4和FDD6680AS的区别 |
| 型号： STD40NF3LL 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-CH 30V 40A | 功能相似 | N沟道30V - 0.0095欧姆 - 40A DPAK低栅电荷的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0095 ohm - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | STD40NF3LLT4和STD40NF3LL的区别 |