MJD200T4G、MJD3055T4、MJD200T5G对比区别

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型号 MJD200T4G MJD3055T4 MJD200T5G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFESTMICROELECTRONICS  MJD3055T4  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 20 W, 10 A, 5 hFETRANS NPN 25V 5A DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 60 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 20 @4A, 4V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 20 W 1.4 W

频率 65 MHz 2 MHz -

额定电压(DC) 25.0 V 60.0 V -

额定电流 5.00 A 10.0 A -

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 12.5 W 20 W -

增益频宽积 - 2 MHz -

集电极击穿电压 - 70.0 V -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 -

直流电流增益(hFE) 70 5 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1400 mW 20000 mW -

额定功率 1.4 W - -

集电极最大允许电流 5A - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -