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MJD200T4G

MJD200T4G

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ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 65MHz 表面贴装型 DPAK


得捷:
TRANS NPN 25V 5A DPAK


立创商城:
MJD200T4G


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Trans GP BJT NPN 25V 10A 1400mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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MJD 系列 25 V 5 A TAB安装 NPN 互补 塑料 功率晶体管 TO-252


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# ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE


Win Source:
TRANS NPN 25V 5A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK


MJD200T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 65 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 5.00 A

额定功率 1.4 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V

额定功率Max 1.4 W

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD200T4G引脚图与封装图
MJD200T4G引脚图

MJD200T4G引脚图

MJD200T4G封装焊盘图

MJD200T4G封装焊盘图

在线购买MJD200T4G
型号 制造商 描述 购买
MJD200T4G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE 搜索库存
替代型号MJD200T4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD200T4G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-252 NPN 25V 5A 1400mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE

当前型号

型号： MJD200RLG

品牌： 安森美

封装： TO-252-3 NPN 25V 5A 1400mW

完全替代

互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

MJD200T4G和MJD200RLG的区别

型号： MJD200

品牌： 安森美

封装： DPAK NPN 25V 5A

完全替代

互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

MJD200T4G和MJD200的区别

型号： MJD200T5G

品牌： 安森美

封装： DPak

完全替代

TRANS NPN 25V 5A DPAK

MJD200T4G和MJD200T5G的区别