ISL9N322AD3ST、ISL9N327AD3ST、FDD6612A对比区别

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型号 ISL9N322AD3ST ISL9N327AD3ST FDD6612A

描述 N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET 30V ， 20A ， 0.022 з N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFET 30V, 20A, 0.022 зN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 22.0 mΩ 40 mΩ 20 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 50 W 36 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A 30.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 30.0 A

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 660 pF

栅电荷 - - 6.70 nC

上升时间 - - 5 ns

输入电容(Ciss) - - 660pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.3 W

下降时间 - - 4 ns

耗散功率(Max) - - 36 W

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99