ISL9N322AD3ST
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
ISL9N322AD3ST中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 22.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
ISL9N322AD3ST引脚图与封装图
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在线购买ISL9N322AD3ST
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9N322AD3ST | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET 30V ， 20A ， 0.022 з N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFET 30V, 20A, 0.022 з | 搜索库存 |
替代型号ISL9N322AD3ST
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL9N322AD3ST 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252AA N-Channel 30V 20A 22mΩ | 当前型号 | N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET 30V ， 20A ， 0.022 з N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFET 30V, 20A, 0.022 з | 当前型号 |
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