FDD6612A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDD6612A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 30.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 20 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
阈值电压 2 V
输入电容 660 pF
栅电荷 6.70 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 660pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDD6612A引脚图与封装图
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在线购买FDD6612A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDD6612A | Fairchild 飞兆/仙童 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 搜索库存 |
替代型号FDD6612A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDD6612A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252 N-Channel 30V 30A 15mohms 660pF | 当前型号 | PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | 当前型号 |
| 型号： ISL9N327AD3ST 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 30V 20A 40mΩ | 类似代替 | N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs | FDD6612A和ISL9N327AD3ST的区别 |
| 型号： ISL9N322AD3ST 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252AA N-Channel 30V 20A 22mΩ | 类似代替 | N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET 30V ， 20A ， 0.022 з N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFET 30V, 20A, 0.022 з | FDD6612A和ISL9N322AD3ST的区别 |