IRF2807PBF、IRF540NPBF、HUF75542P3对比区别

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型号 IRF2807PBF IRF540NPBF HUF75542P3

描述 INFINEON  IRF2807PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF540NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75542P3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 14 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 75.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.013 Ω 0.044 Ω 0.014 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 150 W 130 W 230 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 75 V 100 V 80 V

漏源击穿电压 75 V - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 82A 33A 75.0 A

上升时间 64 ns 35 ns 117 ns

输入电容(Ciss) 3820pF @25V(Vds) 1960pF @25V(Vds) 2750pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 130 W 230 W

下降时间 48 ns 35 ns 80 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 130000 mW 230W (Tc)

额定功率 200 W 140 W -

输入电容 3820pF @25V 1960 pF -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.54 mm 10.54 mm -

宽度 4.69 mm 4.69 mm -

高度 8.77 mm 8.77 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99