![IRF540NPBF](https://image.ruidan.com/images/icbks/ic_546/chanpintu/irf540npbf-WLpIqEAB-8q0E81Kyo.png)
额定功率 140 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 N-CH
耗散功率 130 W
阈值电压 4 V
输入电容 1960 pF
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1960pF @25VVds
额定功率Max 130 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Con, Industrial, Full-Bridge, 便携式器材, 电源管理, Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Elec, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
![IRF540NPBF引脚图](https://image.ruidan.com/images/icbks/ic_546/yinjiaotu/irf540npbf-20210401-WoG3Dv3No.png)
IRF540NPBF引脚图
![IRF540NPBF封装图](https://image.ruidan.com/images/icbks/ic_546/fengzhuangtu/irf540npbf-202006052w-EqmeJ2BOq.png)
IRF540NPBF封装图
![IRF540NPBF封装焊盘图](https://image.ruidan.com/images/icbks/ic_546/hanpantu/irf540npbf-20210416-zq7yQ99Vj.png)
IRF540NPBF封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF540NPBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF540NPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-CH 100V 33A | 当前型号 | INFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 | |
型号: IRF2807PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 80V 82A | 类似代替 | INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V | IRF540NPBF和IRF2807PBF的区别 | |
型号: IRF530NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 100V 17A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF540NPBF和IRF530NPBF的区别 | |
型号: IRFZ48VPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 72A | 类似代替 | INFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V | IRF540NPBF和IRFZ48VPBF的区别 |