IRF2807PBF
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IRF2807PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
输入电容 3820pF @25V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 82A
上升时间 64 ns
输入电容Ciss 3820pF @25VVds
额定功率Max 230 W
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.54 mm
宽度 4.69 mm
高度 8.77 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Commercial, 工业, 商业, Industrial, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge, Push-Pull, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRF2807PBF引脚图与封装图 
IRF2807PBF引脚图
IRF2807PBF封装图
IRF2807PBF封装焊盘图
在线购买IRF2807PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF2807PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IRF2807PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF2807PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL N-Channel 80V 82A | 当前型号 | INFINEON IRF2807PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 71 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IRF540NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 100V 33A | 类似代替 | INFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 V | IRF2807PBF和IRF540NPBF的区别 |
| 型号： IRFZ48VPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 60V 72A | 类似代替 | INFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V | IRF2807PBF和IRFZ48VPBF的区别 |
| 型号： AUIRF2807 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB N-CH 75V 82A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF2807PBF和AUIRF2807的区别 |