STP28N65M2、TK16E60W5,S1VX、TK20E60U对比区别

高亮显示差异参数

型号 STP28N65M2 TK16E60W5,S1VX TK20E60U

描述 N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3Pin TO-220TOSHIBA  TK20E60U  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.15 Ω 180 mΩ 0.19 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 170 W 130 W 190 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V - 600 V

连续漏极电流(Ids) - - 20A

上升时间 10 ns 40 ns 40 ns

下降时间 8.8 ns 5 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 600 V -

输入电容(Ciss) 1440pF @100V(Vds) 1350pF @300V(Vds) -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 170W (Tc) 130W (Tc) -

输入电容 1440 pF - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.4 mm 10.16 mm -

宽度 4.6 mm 4.45 mm -

高度 15.75 mm 15.1 mm -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

含铅标准 Lead Free Lead Free -

香港进出口证 - - NLR