TK16E60W5,S1VX
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
TK16E60W5,S1VX中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 180 mΩ
耗散功率 130 W
阈值电压 3 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 1350pF @300VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.16 mm
宽度 4.45 mm
高度 15.1 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TK16E60W5,S1VX引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TK16E60W5,S1VX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TK16E60W5,S1VX | Toshiba 东芝 | Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3Pin TO-220 | 搜索库存 |
替代型号TK16E60W5,S1VX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TK16E60W5,S1VX 品牌： Toshiba 东芝 封装： TO-220-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 15.8A 3Pin TO-220 | 当前型号 |
| 型号： STP28N65M2 品牌： 意法半导体 封装： TO-220-3 | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | TK16E60W5,S1VX和STP28N65M2的区别 |