L6386、L6386D、L6386ED对比区别

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型号 L6386 L6386D L6386ED

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERSTMICROELECTRONICS  L6386ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 电源管理FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14

电源电压(DC) 17.0V (max) 17.0V (max) 9.10V (min)

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 750 mW 750 mW 0.75 W

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -40 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

下降时间(Max) - 30 ns 30 ns

上升时间(Max) - 50 ns 50 ns

频率 - - 400 kHz

额定功率 - - 750 mW

输出电压 - - 580 V

输出电流 - - 400 mA

通道数 - - 2

针脚数 - - 14

输出电流(Max) - - 0.65 A

电源电压 - - 17 VDC

电源电压(Max) - - 17 V

电源电压(Min) - - 9.1 V

封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14

长度 - - 8.75 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99