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L6386

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

半桥 栅极驱动器 IC 反相 14-DIP


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP


贸泽:
门驱动器 Hi-Volt Hi-Low Side


艾睿:
Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 14-Pin PDIP


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 14-Pin PDIP


Win Source:
HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER


L6386中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 17.0V max

上升/下降时间 50ns, 30ns

输出接口数 2

耗散功率 750 mW

上升时间 50 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 14

封装 PDIP-14

外形尺寸

封装 PDIP-14

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

L6386引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
L6386 ST Microelectronics 意法半导体 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: L6386

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装:

当前型号

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

当前型号

型号: L6386E

品牌: 意法半导体

封装: PDIP

完全替代

L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14

L6386和L6386E的区别

型号: L6386D

品牌: 意法半导体

封装: Surface 17V 14Pin

类似代替

高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER

L6386和L6386D的区别

型号: L6386D013TR

品牌: 意法半导体

封装: Surface 17V 14Pin

类似代替

MOSFET DRVR 600V 0.65A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 14Pin SOIC T/R

L6386和L6386D013TR的区别