L6386D中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 17.0V max
上升/下降时间 50ns, 30ns
输出接口数 2
耗散功率 750 mW
上升时间 50 ns
下降时间 30 ns
下降时间Max 30 ns
上升时间Max 50 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
外形尺寸
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
L6386D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买L6386D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| L6386D | ST Microelectronics 意法半导体 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | 搜索库存 |
替代型号L6386D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： L6386D 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： Surface 17V 14Pin | 当前型号 | 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVER | 当前型号 |
| 型号： L6386D013TR 品牌： 意法半导体 封装： Surface 17V 14Pin | 完全替代 | MOSFET DRVR 600V 0.65A 2Out Hi/Lo Side Non-Inv 14Pin SOIC T/R | L6386D和L6386D013TR的区别 |
| 型号： L6386ED 品牌： 意法半导体 封装： Surface 9.1V 14Pin | 类似代替 | STMICROELECTRONICS L6386ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14 | L6386D和L6386ED的区别 |
| 型号： L6386ED013TR 品牌： 意法半导体 封装： SO-14 14Pin | 类似代替 | MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics | L6386D和L6386ED013TR的区别 |