IRLML0030TRPBF、BSH108,215、ZXMN3B01FTA对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRLML0030TRPBF BSH108,215 ZXMN3B01FTA

描述 INFINEON  IRLML0030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VNXP  BSH108,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 30 V, 0.077 ohm, 10 V, 1.5 VZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.022 Ω 0.077 Ω 0.15 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 1.3 W 830 mW 625 mW

阈值电压 1.7 V 1.5 V 700 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A 1.90 A 2.00 A

上升时间 4.4 ns 8 ns 3.98 ns

输入电容(Ciss) 382pF @15V(Vds) 190pF @10V(Vds) 258pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 830 mW 625 mW

下降时间 4.4 ns 26 ns 5.27 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 830mW (Tc) 806 mW

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 2.00 A

通道数 - - 1

输入电容 382 pF - 258 pF

栅电荷 - - 2.93 nC

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - ±12.0 V

额定功率 1.3 W - -

长度 3.04 mm 3 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 1.02 mm 1 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17