KST14、MMBTA14LT1G、KST14TR对比区别

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型号 KST14 MMBTA14LT1G KST14TR

描述 达林顿晶体管放大器 Darlington Amplifier TransistorON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFESmall Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Samsung (三星)

分类 双极性晶体管

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 1.01 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.3A 0.3A -

频率 - 125 MHz -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 300 mA -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 225 mW -

最小电流放大倍数(hFE) - 20000 @100mA, 5V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 20000 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 125MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 300 mW -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -