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MMBTA14LT1G

MMBTA14LT1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
### NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


得捷:
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3


立创商城:
NPN 双极达林顿晶体管


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达林顿晶体管 300mA 30V NPN


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ON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G.  达林顿晶体管, NPN, 300mA, 30V, 整卷


艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


Allied Electronics:
Darlington NPN 30V 300mA HFE:20K SOT23


Jameco:
Trans Darlington NPN 30 Volt 0.3A 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 0.3A; 225mW; SOT23


Verical:
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 20000 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23


DeviceMart:
TRANS SS DARL NPN 30V SOT23


MMBTA14LT1G中文资料参数规格
技术参数

频率 125 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 300 mA

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.3A

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 20000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Automotive, 工业, Industrial, 车用, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBTA14LT1G引脚图与封装图
MMBTA14LT1G引脚图

MMBTA14LT1G引脚图

MMBTA14LT1G封装焊盘图

MMBTA14LT1G封装焊盘图

在线购买MMBTA14LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMBTA14LT1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE 搜索库存
替代型号MMBTA14LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBTA14LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 300mA 300mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MMBTA14LT1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 30 V, 125 MHz, 225 mW, 300 mA, 10000 hFE

当前型号

型号: MMBTA14LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 300mA

完全替代

达林顿放大器晶体管( NPN硅) Darlington Amplifier TransistorsNPN Silicon

MMBTA14LT1G和MMBTA14LT1的区别

型号: MPSA14G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 30V 500mA 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MPSA14G  双极晶体管

MMBTA14LT1G和MPSA14G的区别

型号: MPSA14RLRAG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 30V 500mA 625mW

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ON SEMICONDUCTOR  MPSA14RLRAG  双极性晶体管

MMBTA14LT1G和MPSA14RLRAG的区别