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BF1202WR、BF1201WR,115、BF1202WR,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1202WR BF1201WR,115 BF1202WR,115

描述 BF1202WR N沟道MOSFET 10V 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 LE 电压控制小信号开关/高饱和电流能力MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin(3+Tab) CMPAK T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - 400 MHz 400 MHz

额定电流 - 30 mA 30 mA

漏源极电压(Vds) - 10 V 10 V

增益 - 29 dB 30.5 dB

测试电流 - 15 mA 12 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW 200 mW

额定电压 - 10 V 10 V

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 0.2 W

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 mA