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BF1201WR,115

BF1201WR,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

双栅极射频 MOSFET ,Nexperia


得捷:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R


欧时:
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1201WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R


BF1201WR,115中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

漏源极电压Vds 10 V

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1201WR,115引脚图与封装图
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在线购买BF1201WR,115
型号 制造商 描述 购买
BF1201WR,115 NXP 恩智浦 MOSFET 晶体管,NXP semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号BF1201WR,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF1201WR,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: CMPAK

当前型号

MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BF1101WR

品牌: 恩智浦

封装:

完全替代

BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz

BF1201WR,115和BF1101WR的区别

型号: BF1202WR,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT343R N-Channel 0.2W

类似代替

Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

BF1201WR,115和BF1202WR,115的区别

型号: BF1101WR,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-82A N-Channel 200mW

类似代替

Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

BF1201WR,115和BF1101WR,115的区别