BF1202WR,115

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30.5dB CMPAK-4

得捷:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

BF1202WR,115中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 0.2 W

漏源极电压Vds 10 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

增益 30.5 dB

测试电流 12 mA

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1202WR,115引脚图与封装图

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BF1202WR,115	NXP 恩智浦	Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R	搜索库存

替代型号BF1202WR,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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型号： BF1201WR,115 品牌：恩智浦封装： CMPAK	类似代替	MOSFET 晶体管，NXP semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors	BF1202WR,115和BF1201WR,115的区别
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