FJX4006RTF、MMUN2111LT1G、MUN5111T1G对比区别

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型号 FJX4006RTF MMUN2111LT1G MUN5111T1G

描述 PNP外延硅晶体管与偏置电阻 PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias ResistorON SEMICONDUCTOR  MMUN2111LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23ON SEMICONDUCTOR  MUN5111T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-23-3 SC-70-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.2 W 0.4 W 0.31 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V

额定功率(Max) 200 mW 246 mW 202 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 400 mW 297 mW

增益带宽 200 MHz - -

额定功率 - 246 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 35 -

长度 - 2.9 mm 2.2 mm

宽度 - 1.3 mm 1.35 mm

高度 0.9 mm 0.94 mm 0.9 mm

封装 SOT-323-3 SOT-23-3 SC-70-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99