FJX4006RTF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FJX4006RTF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 68 @5mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FJX4006RTF引脚图与封装图
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在线购买FJX4006RTF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FJX4006RTF | Fairchild 飞兆/仙童 | PNP外延硅晶体管与偏置电阻 PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor | 搜索库存 |
替代型号FJX4006RTF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FJX4006RTF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 200mW | 当前型号 | PNP外延硅晶体管与偏置电阻 PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor | 当前型号 |
| 型号： MMUN2111LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | FJX4006RTF和MMUN2111LT1G的区别 |
| 型号： MUN5111T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323 | FJX4006RTF和MUN5111T1G的区别 |