锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC639-16ZL1G

BC639-16ZL1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Fan-Fold


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo


Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO-92


BC639-16ZL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

额定功率 800 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 800 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC639-16ZL1G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC639-16ZL1G
型号 制造商 描述 购买
BC639-16ZL1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE 搜索库存
替代型号BC639-16ZL1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC639-16ZL1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC639-16ZL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE

当前型号

型号: BC639G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC639G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

BC639-16ZL1G和BC639G的区别

型号: BC639RL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  BC639RL1G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

BC639-16ZL1G和BC639RL1G的区别

型号: BC639ZL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 80V 1A 625mW

类似代替

高电流晶体管 High Current Transistors

BC639-16ZL1G和BC639ZL1G的区别