AUIRF2804L、IRF2804LPBF、IRF1324LPBF对比区别

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型号 AUIRF2804L IRF2804LPBF IRF1324LPBF

描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-262 N-CH 24V 340A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3

额定功率 300 W 330 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0018 Ω 0.0018 Ω 1.65 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 330 W 300 W

阈值电压 2 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 24 V

连续漏极电流(Ids) 270A 280A 340A

输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 6450pF @25V(Vds) 7590pF @24V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 330 W 300W (Tc)

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 24 V

额定功率(Max) - - 300 W

上升时间 - 120 ns -

下降时间 - 130 ns -

长度 10.67 mm - 10.2 mm

宽度 4.83 mm - 4.5 mm

高度 11.3 mm 10.54 mm 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -