IRF1324LPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF1324LPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.65 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 24 V
漏源击穿电压 24 V
连续漏极电流Ids 340A
输入电容Ciss 7590pF @24VVds
额定功率Max 300 W
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF1324LPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF1324LPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF1324LPBF | Infineon 英飞凌 | TO-262 N-CH 24V 340A | 搜索库存 |
替代型号IRF1324LPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF1324LPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 24V 340A | 当前型号 | TO-262 N-CH 24V 340A | 当前型号 |
| 型号： AUIRF2804L 品牌： 英飞凌 封装： TO-262 N-Channel 40V 270A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF1324LPBF和AUIRF2804L的区别 |