额定功率 330 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 280A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 6450pF @25VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 330 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262
高度 10.54 mm
封装 TO-262
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF2804LPBF | Infineon 英飞凌 | N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF2804LPBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 40V 280A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | 当前型号 | |
型号: IRF2804L 品牌: 英飞凌 封装: TO-262 N-Channel 40V 75A | 类似代替 | TO-262 N-CH 40V 280A | IRF2804LPBF和IRF2804L的区别 | |
型号: AUIRF2804L 品牌: 英飞凌 封装: TO-262 N-Channel 40V 270A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET,InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IRF2804LPBF和AUIRF2804L的区别 |