FQP6P25、SPA07N60C3、STW25NM60ND对比区别

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型号 FQP6P25 SPA07N60C3 STW25NM60ND

描述 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFETINFINEON  SPA07N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

额定电压(DC) -250 V 650 V -

额定电流 -6.00 A 7.30 A -

额定功率 - 32 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 1.10 Ω 0.54 Ω 0.13 Ω

极性 P-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 90 W 32 W 160 W

阈值电压 - 3 V 4 V

输入电容 - 790 pF 2400 pF

栅电荷 - 27.0 nC -

漏源极电压(Vds) 250 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 7.30 A 21A

上升时间 75 ns 3.5 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 780pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) 2400pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 90 W 32 W 160 W

下降时间 50 ns 7 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90W (Tc) 32W (Tc) 160W (Tc)

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

长度 10.67 mm 10.65 mm 15.75 mm

宽度 4.7 mm 4.85 mm 5.15 mm

高度 16.3 mm 9.83 mm 20.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -