FQP6P25
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQP6P25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -6.00 A
漏源极电阻 1.10 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 90 W
漏源极电压Vds 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 75 ns
输入电容Ciss 780pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQP6P25引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQP6P25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQP6P25 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 P-Channel 250V 6A 1.1ohms | 当前型号 | 250V P沟道MOSFET 250V P-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： SPA07N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A 790pF | 功能相似 | INFINEON SPA07N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V | FQP6P25和SPA07N60C3的区别 |
| 型号： SPP07N60C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A | 功能相似 | INFINEON SPP07N60C3.. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 650 V, 0.54 ohm, 10 V, 3 V | FQP6P25和SPP07N60C3的区别 |
| 型号： SPP07N60S5 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 650V 7.3A | 功能相似 | INFINEON SPP07N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 600 V, 0.54 ohm, 10 V, 4.5 V | FQP6P25和SPP07N60S5的区别 |