BD436S、BD441、BD441G对比区别

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型号 BD436S BD441 BD441G

描述 TRANSISTOR PNP 32V 4A TO-126NPN功率晶体管 NPN power transistorON SEMICONDUCTOR  BD441G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3 MHz, 36 W, 4 A, 15 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

极性 - NPN NPN

耗散功率 - 36 W 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 5V 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

直流电流增益(hFE) - 140 15

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW 36000 mW

频率 - - 3 MHz

额定电压(DC) - - 80.0 V

额定电流 - - 4.00 A

针脚数 - - 3

增益频宽积 - - 3 MHz

集电极最大允许电流 - - 4A

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

长度 - - 7.74 mm

宽度 - - 2.66 mm

高度 - - 11.04 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bag Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99