2N1711、JAN2N5582、2N2484对比区别
描述 MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFETO-46 NPN 50V 0.8ANPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Multicomp Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-39 TO-46-3 TO-18
针脚数 3 - -
极性 NPN NPN -
耗散功率 3 W - 0.36 W
击穿电压(集电极-发射极) 50.0 V 50 V 60 V
直流电流增益(hFE) 35 - -
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V 225 @10mA, 5V
额定功率(Max) - 500 mW 360 mW
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 360 mW
集电极最大允许电流 - 0.8A -
封装 TO-39 TO-46-3 TO-18
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99