锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
2N2484

2N2484

数据手册.pdf

NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

Use this versatile NPN GP BJT from to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 360 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 200 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

2N2484中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.36 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 225 @10mA, 5V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

2N2484引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N2484
型号 制造商 描述 购买
2N2484 Microsemi 美高森美 NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR 搜索库存
替代型号2N2484
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： 2N2484

品牌： Microsemi 美高森美

封装： TO-18 360mW

当前型号

NPN硅低功率晶体管 NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR

当前型号

型号： JAN2N2484

品牌： 美高森美

封装： TO-18 NPN 360mW

完全替代

TO-18 NPN 60V 0.05A

2N2484和JAN2N2484的区别

型号： JANTX2N2484

品牌： 美高森美

封装： TO-18 NPN 360mW

完全替代

JANTX 系列 60 V 50 mA 360 mW 通孔 NPN 开关 晶体管 - TO-18

2N2484和JANTX2N2484的区别

型号： JANS2N2484

品牌： 美高森美

封装： TO-18 NPN

完全替代

电气特性（ TA = 25℃除非另有说明） ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = 250C unless otherwise noted

2N2484和JANS2N2484的区别